北美数据中心需求支撑 Server DRAM涨势延续[CSIA]
 
 
北美数据中心需求支撑 Server DRAM涨势延续
更新时间:2018-1-12 14:16:44  
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根据集邦咨询旗下半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,2018年第一季度在供需仍然略为吃紧的状况下,ServerDRAM价格将持续上扬;同时由于2666Mhz/2400Mhz正式取代2133Mhz的产出,高带宽服务器模组将会逐渐成为市场主流。
  
  自去年第三季度起,ServerDRAM随着北美数据中心建案而供货吃紧进而带动整体涨幅,备货超出预期。展望今年上半年,因DRAM制造商对产能计划趋于保守,实质新产能开出时间将会递延至下半年,导致上半年供给受限,整体市场供给仍吃紧,预期至少今年上半年ServerDRAM涨价格局将延续。
  
  从目前ServerDRAM报价来看,除长期协议(Long-TermAgreement)客户已谈定报价外,在DDR432GBRDIMM价格皆已协议在300美元水平,服务器二线代工厂将会锁定在310美元大关,相较于去年第四季度,平均季涨幅将维持3-5%。
  
  ServerDRAM制程转进1x纳米,三星产能大幅领先
  
  观察各厂ServerDRAM产出制程,三星今年的重点将会加速提高18纳米制程的投片,同时SK海力士与美光阵营也分别会开出在18与17纳米的制程,进而提升自家高容量服务器模组的比重。
  
  若从竞争格局来看,制程领先的三星,将会在今年第一季度大幅转进至18纳米的投片量,18纳米制程将占自家产能逾半的比重,大幅领先其他DRAM供货商;然而,SK海力士与美光则会随着良率改善而有效率的做产能分配,预期今年底1x纳米制程会占两家公司整体产能的三成比重。
  
  此外,大多数服务器厂皆已陆续开始验证DRAM原厂先进制程的样品,DRAMeXchange预估,第二季转进至17与18纳米制程的产量会较具规模,并冀望第四季前17/18纳米制程的产品渗透率达到近四成水平,可预期的是应用于服务器的高容量模组如32GBDDR42666MhzRDIMM渗透率将提升。
  
 
来源:集邦咨询        
 
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