赵伟国:计划筹资3700亿元 32层3D NAND今年量产[CSIA]
 
 
赵伟国:计划筹资3700亿元 32层3D NAND今年量产
更新时间:2018-4-11 15:22:54  
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刚传出请辞清华紫光集团旗下紫光控股与紫光国芯两家子公司董事长及董事职务的赵伟国,9日出席于第6届中国电子信息博览会中表示,未来将整合国内的资源,在武汉、南京、成都合计投资人民币1,800亿元,进行存储器基地的研发与建置。也就是未来将要借由大规模的投资,在南京及成都两地成功复制两个武汉新芯。
  
  赵伟国在专题演讲中,一开始就指出,在美国特朗普的贸易战之下,证明国际贸易并非平的。因此,借由美国301政策的公布名单,把紫光集团列入之列,是给了紫光一次全球露脸的机会。也说明紫光的半导体事业符合企业战略与国家战略。
  
  因此,目前紫光集团除了已经筹资人民币1,800亿元之外,还正与和重庆政府、国家大基金等发起注册地位于重庆的紫光国芯集成电路股份有限公司(简称大公司),其注册资本额达人民币1,000亿元。另外,希望透过资本额达人民币1,000亿以上的中国企业,共同筹资人民币1,900亿元。以总计达人民币3,700亿元的资金,分5年投资在中国半导体产业的投资上。
  
  赵伟国进一步强调,为什么要以5年的时间花人民币3,700亿元在半导体产业上。主要是因为紫光要跟英特尔、三星、台积电等这3家半导体巨头看齐。因为这些公司每年在半导体上的投资金额都超过100亿美元。这金额大致与紫光以人民币3,700亿元,使用5年的想法大致一致。
  
  不过,赵伟国还强调,虽然资金在一个起跑线上,还得要技术的长期累积。因为有钱,没技术的公司是要不得的,也是没有竞争力的,所以将借由紫光集团旗下包括长江存储、展讯、锐迪科、华三等系列公司,来支持形成中国自身的半导体产业,并形成初步的存储器生态。
  
  其中,针对存储器的布局部分,赵伟国表示,武汉新芯已经投资800亿,在技术创新、模式探索等自主研发上。未来将在这个基础上,再透过相关资源的整合,以在南京、成都分别投资人民币500亿元再复制2个武汉新芯,以建立完整的存储器产业生态圈。事实上,对于外界质疑,面对全球3DNANDFlash大厂,包括三星,SK海力士、东芝、美光等,都已经跨入生产64层堆叠的3DNANDFlash,并且往更先进技术发展的同时,紫光目前还停留在32层堆叠的技术上,使得紫光集团过往在存储器发展的投资上,其结果似乎不如预期。
  
  对此,赵伟国就强调,紫光集团旗下的长江存储32层64G3DNANDFlash快闪存储器将会在2018年达成小规模量产的目标,2019年64层128G3DNANDFlash快闪存储器则将会进入规模研发的阶段。在此次赵伟国公布长江存储的量产计划后,预计在未来2年,或许就可以看到内建中国快闪存储器的智能手机问市。
  
 
来源:TechNews科技新报        
 
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