紫光新存储器技术 震撼业界[CSIA]
 
 
紫光新存储器技术 震撼业界
更新时间:2018-8-7 16:01:58  
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紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器(NANDFlash)报捷,已自主开发完成最先进的64层3DNAND芯片专利,预计明年完成生产线建置、2020年量产,震撼业界。
  
  近期3DNAND芯片价格走弱,长江存储挟紫光集团资源,投入主流NAND芯片量产,为市场投下震撼弹,对群联、威刚等NAND概念股影响值得观察。
  
  另一方面,长江存储在先进NAND技术报捷,也将牵动后段封测厂订单状况,南茂先前透过处分转投资上海宏茂科技股权予紫光集团,成为国内首家与紫光集团搭上合资联盟的业者,长江存储大量产出后,南茂可望抢食相关封测订单,成为此波大陆大举扩张NAND势力的受惠台厂。
  
  据了解,长江存储将于今天在国际性快闪存储器指标性盛会“快闪存储器高峰会”(FlashMemorySummit)正式公布64层3DNAND芯片专利,向全球展现大陆已具备自主研发快闪存储器技术能力,并追上主流产品脚步,相关产品预计明年量产,加入全球列强竞逐快速成长的NAND芯片市场。
  
  消息人士透露,紫光此次选在国际性盛会公布长江存储自行研发的64层3DNAND芯片专利,等于开放全球存储器大厂公开检视长江存储的64层3DNAND芯片技术布建,向全球宣示大陆在发展快闪存储器的脚步比前一期的32层产品更快,未来将会是3DNAND芯片供应链的重要一员。
  
  据了解,长江存储董事长杨士宁今天亲自上阵,在美国SantaClara举行的“快闪存储器高峰会”正式发表长江存储的64层3DNAND芯片专利。目前全球仅三星、SK海力士、东芝、美光、英特尔等大厂有能力生产相关产品。
  
  长江存储宣称32层3DNAND芯片良率已超过九成,不过由于产品市场接受力有限,长江存储只当做练兵,月产能仅5,000片,预料未来进入64层3DNAND芯片世代将加快量产规模,届时对NAND市场冲击加深,震撼业界。
 
来源:经济日报        
 
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