历时两年!首批“中国造”32层3D NAND闪存芯片将于Q4量产[CSIA]
 
 
历时两年!首批“中国造”32层3D NAND闪存芯片将于Q4量产
更新时间:2018-8-7 17:32:24  
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近日,紫光集团联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主知识产权的32层3DNAND闪存芯片将于今年第四季度实现量产。
  
  刁石京表示,中国芯片技术落后于世界,但自主研发的脚步始终没有停止,两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国等国家在存储芯片上的差距。
  
  同时,刁石京介绍,目前,芯片生产设备正在进行安装调试,今年第四季度,32层3DNAND闪存芯片将在一号芯片生产厂房进行量产。此外,64层3DNAND闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行,计划2019年实现量产。
  
  值得一提的是,长江存储此前已透露,长江存储CEO杨士宁博士将于8月份在美国举行的闪存峰会(FMS)上首次公布新型3DNAND架构Xtacking技术。据称,该技术可将NAND传输速率提升至DRAMDDR4相当的水准,同时使存储密度达到行业领先水平,实现闪存行业的划时代跃进。
  
  作为国家级存储项目基地,长江存储于2016年7月26日在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上正式成立,总投资金额达240亿美元。
  
  2016年12月底,由长江存储主导的国家存储器基地正式动土,官方预期分3阶段,共建立3座3DNANDFlash厂房。第一阶段厂房已于2017年9月完成兴建,预定2018年第3季开始移入机台,并于第4季进行试产,初期投片不超过1万片,用于生产32层3DNANDFlash产品,并预计于自家64层技术成熟后,再视情况拟定第2、3期生产计划。
  
  2017年,长江存储成功研制了中国大陆第一颗3DNAND闪存芯片,不仅获得了中国电子信息博览会(CITE2018)金奖,并力争凭创新实力成为世界一流的3DNAND闪存产品供应商。 
  
  据了解,这颗3DNAND闪存芯片耗资10亿美元,由1000人团队历时2年自主研发,是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片,实现了中国存储芯片“零”的突破。
  
  2018年5月19日,集微网曾报道,长江存储的首台光刻机已运抵武汉天河机场,设备相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后,即可运至长江存储的工厂。据集微网独家消息,这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机,售价7200万美元,用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3DNAND闪存芯片的工艺制程。这是长江存储的第一台光刻机,陆续还会有多台运抵。
  
  紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国强调,未来十年,紫光计划至少将投资1000亿美元用于长江存储项目研发,相当于平均每年投入100亿美元。而紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全也曾透露,长江存储的3DNAND闪存已经获得第一笔订单,总计10776颗芯片,将用于8GBUSD存储卡产品。(历时两年!首批“中国造”32层3DNAND闪存芯片将于Q4量产;
  
  集微网消息,近日,紫光集团联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主知识产权的32层3DNAND闪存芯片将于今年第四季度实现量产。
  
  刁石京表示,中国芯片技术落后于世界,但自主研发的脚步始终没有停止,两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国等国家在存储芯片上的差距。
  
  同时,刁石京介绍,目前,芯片生产设备正在进行安装调试,今年第四季度,32层3DNAND闪存芯片将在一号芯片生产厂房进行量产。此外,64层3DNAND闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行,计划2019年实现量产。
  
  值得一提的是,长江存储此前已透露,长江存储CEO杨士宁博士将于8月份在美国举行的闪存峰会(FMS)上首次公布新型3DNAND架构Xtacking技术。据称,该技术可将NAND传输速率提升至DRAMDDR4相当的水准,同时使存储密度达到行业领先水平,实现闪存行业的划时代跃进。
  
  作为国家级存储项目基地,长江存储于2016年7月26日在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上正式成立,总投资金额达240亿美元。
  
  2016年12月底,由长江存储主导的国家存储器基地正式动土,官方预期分3阶段,共建立3座3DNANDFlash厂房。第一阶段厂房已于2017年9月完成兴建,预定2018年第3季开始移入机台,并于第4季进行试产,初期投片不超过1万片,用于生产32层3DNANDFlash产品,并预计于自家64层技术成熟后,再视情况拟定第2、3期生产计划。
  
  2017年,长江存储成功研制了中国大陆第一颗3DNAND闪存芯片,不仅获得了中国电子信息博览会(CITE2018)金奖,并力争凭创新实力成为世界一流的3DNAND闪存产品供应商。 
  
  据了解,这颗3DNAND闪存芯片耗资10亿美元,由1000人团队历时2年自主研发,是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片,实现了中国存储芯片“零”的突破。
  
  2018年5月19日,集微网曾报道,长江存储的首台光刻机已运抵武汉天河机场,设备相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后,即可运至长江存储的工厂。据集微网独家消息,这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机,售价7200万美元,用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3DNAND闪存芯片的工艺制程。这是长江存储的第一台光刻机,陆续还会有多台运抵。
  
  紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国强调,未来十年,紫光计划至少将投资1000亿美元用于长江存储项目研发,相当于平均每年投入100亿美元。而紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全也曾透露,长江存储的3DNAND闪存已经获得第一笔订单,总计10776颗芯片,将用于8GBUSD存储卡产品。
 
来源:紫光集团紫光集团        
 
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