群联64层3D QLC NAND Flash控制芯片 正式出货[CSIA]
 
 
群联64层3D QLC NAND Flash控制芯片 正式出货
更新时间:2018-9-11 14:40:55  
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快闪存储器(NANDFlash)控制芯片及储存解决方案领导群联6日正式宣布,搭载美系国际原厂最新QLC规格64层3DNANDFlash之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出货。
  
  群联董事长潘健成表示,QLC规格的单颗Flash晶粒储存空间较上一代TLC规格多出1倍,容量升级、价格亲民,这象征着SSD(固态硬盘)正式迎接低价大容量的时代!
  
  潘健成指出,各国际快闪存储器(NANDFlash)制造原厂陆续突破3D堆栈技术良率瓶颈后,技术演进正快速发展,次世代规格QLC的3DNANDFlash颗粒如今较预期提前一个季度于近期推出,该技术进程速度令业界专家都跌破眼镜,亦为SSD扩大渗透率带来新动能。
  
  由于群联领先同业在今年上半年正式取得搭载QLC的一系列主控芯片测试验证、以及推出最新版之纠错保护机制,而今水到渠成,因应客户需求甫于近日出货搭载64层QLC之SSD控制芯片PS3111-S11T解决方案。
  
  最新64层QLC之3DNANDFlash单颗容量即可达128GB,搭载群联PS3111-S11T解决方案应用于SSD上的容量从258GB起跳,并搭配群联电子自有第4代SmartECC纠错机制套件,让大容量的QLC优势亦能兼具速度效能,不论是连续读取或是写入之效能皆能维持在550MB/s、450~510MB/s的高速水平。
  
  至于随机读取/写入(IOPS)速度亦可维持在33万~61万次,以及85万~88万次高效能,终端应用也将因为产品属性符合低价大容量,将适合通路客户拓展互联网服务业、中小型企业等更多元创新的应用市场布局。
  
 
来源:苹果日报        
 
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