美光MWC新产品亮相 推全球首款1TB闪存卡[CSIA]
 
 
美光MWC新产品亮相 推全球首款1TB闪存卡
更新时间:2019-3-4 15:06:37  
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美国存储器领导厂美光25日在世界移动大会(MWC)发表全球首款超大容量microSD闪存卡——Micronc200系列1TBmicroSDXCUHS-I。该产品为高性能的可抽取式储存解决方案,提供高达1TB1的储存容量,消费者可用此闪存卡,在手机或其他电子装置上储存4K影片、照片与游戏。预计第2季上市销售。
  
  此款闪存卡为业界首款采用美光先进96层四阶储存单元(QLC)3DNAND技术的microSD闪存卡,每秒读取速度高达100MB,每秒写入速度3可达95MB,符合UHS-I速度等级3(U3)与影片速度等级30(V30)的标准。
  
  ForwardInsights总裁GregoryWong表示,3DQLCNAND技术时代来临,将带动市场对高容量消费性储存装置的需求增长。且指出,美光推出的新闪存卡为可抽取式储存装置市场划下重要里程碑,将有助于加速移动装置和游戏装置转换成高容量储存装置。
  
  美光嵌入式产品事业部NAND解决方案资深总监AravindRamamoorthy则表示,通过研发CuA(CMOSundertheArray)架构和96层QLC技术,公司站稳3DNAND领域领导地位,全新的c200系列1TBmicroSD闪存卡将满足消费者对移动装置黏着度高的生活方式,辅助用户自由撷取、分享、储存和享受更多内容。
  
  除了闪存产品,美光在DRAM技术也持续推进,此前也宣布在台湾建立DRAM卓越中心,该公司台湾区副总裁徐国晋此前在一场媒体餐叙上透露,去年在台湾导入1x纳米制程后,预定下半年还将导入1y纳米制程量产,同时并进行1z制程试产,希望明年导入量产。
 
来源:芯科技        
 
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