NAND技术再突破!SK海力士开发1 Tb QLC闪存芯片[CSIA]
 
 
NAND技术再突破!SK海力士开发1 Tb QLC闪存芯片
更新时间:2019/5/14 11:33:47  
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据businesskorea报道,SK海力士基于96层4DNAND技术开发了一种one-terabit(Tb)quadruplelevelcell(QLC)闪存芯片。具有更大数据存储容量的高集成产品标志着SK海力士NAND内存业务的全面启动。
  
  SK海力士5月9日宣布,它向固态硬盘(SSD)控制器制造商提供了新产品的样品。该产品可以定义为现有96层chargetrapflash(CTF)4DNAND和公司的QLC设计技术的结合。
  
  QLC是将四位数据存储在NAND单元中,是数据存储的最小单元。NANDflash分为SLC(每个单元1位存储)、MLC(每个单元2位存储)、TLC(每个单元3位存储)和QLC(每个单元4位存储)。
  
  换句话说,QLC的数据存储容量是同一区域SLC的4倍。
  
  QLC允许在同一区域进行更高程度的集成,因此可以以节省成本的方式实现高容量产品。然而,这是很难做到的,因为它需要一个非常高水平的单元集成在一个像钉子一样小的芯片上。一个TbQLC需要2748亿个集成单元。这一次,SK海力士成功地将芯片堆叠成96层。
  
  此外,SK海力士利用4DNAND的优点,即小平面,采用了四平面结构。平面是指在单个单元及其外围电路中独立工作的单元的集合。SK海力士的新产品使用四个平面同时处理64KB的数据,而现有产品使用两个平面同时处理32KB的数据。
  
  SiliconMotion首席执行官WallaceKou表示,SK海力士的工程样本充分满足了一般消费者对SSD的可靠性和性能要求。SiliconMotion是一家开发及销售固态硬盘控制器及NAND储存设备的台湾公司。
  
  SK海力士正计划开发基于新产品的QLC软件算法和控制器,以尽快推出解决方案产品。市场研究公司IDC最近报告称,QLC在全球NAND闪存市场的比例预计将从今年的3%升至2023年的22%。
 
来源:businesskorea        
 
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