首次实现 “无漏电流”,大连理工团队研发纳米线桥接生长技术[CSIA]
 
 
首次实现 “无漏电流”,大连理工团队研发纳米线桥接生长技术
更新时间:2019/6/6 11:48:44  
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日前,大连理工大学电子科学与技术学院教授黄辉团队发明了无漏电流“纳米线桥接生长技术”。
  
  该项发明解决了纳米线器件的排列组装、电极接触及材料稳定性问题,研制出高可靠性、低功耗及高灵敏度的GaN纳米线气体传感器,该传感器可推广至生物检测以及应力应变检测等。
  
  相较于传统体材料和薄膜材料,半导体纳米线具有许多独特优势:大的比表面积可以提高器件的灵敏度,易于形变可以提升材料的集成能力,纳米级的导光和导电通道可以制作单根纳米线光子器件。此外,纳米线优异的机械性能以及灵活多样的结构,使其具有较好的柔韧性,且可形成芯包层和交*网格结构。
  
  黄辉表示,而与MEMS器件相比,半导体纳米线的尺度缩小了1000倍,面积缩小100万倍。因此,纳米线是最小的器件,也是微纳传感器的理想选择。
  
  团队研制出的集成纳米线气体传感器——GaN纳米线气体传感器,经检测可在室温下工作,8个月电阻变化率<0.8%,且NO2检测限为0.5ppb,具有高稳定性、低功耗以及高灵敏度等特点。
  
  北京邮电大学电子工程学院教授忻向军表示,该技术首次实现了“无漏电流”GaN桥接纳米线,研制出的GaN纳米线气体传感器将推动传感芯片的发展。
  
 
来源:太平洋电脑网        
 
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