三星率先开发出12层3D-TSV芯片封装技术[CSIA]
 
 
三星率先开发出12层3D-TSV芯片封装技术
更新时间:2019/10/10 11:22:49  
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三星电子在10月7日宣布,已率先在业内开发出12层3D-TSV(硅穿孔)技术。该技术在保持芯片尺寸的同时增加了内存容量。
  
  据介绍,该技术垂直堆叠了12个DRAM芯片,它们通过60000个TSV孔互连,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。三星表示,这是目前最精确和最具挑战性的半导体封装技术。
  
  三星补充道:“利用这项新技术,可以堆叠12个DRAM芯片,同时保持与现有8层HBM2产品相同的封装厚度,即720μm。这对客户来说意味着即使系统设计没有任何变化,也可以生成高容量和高性能的产品。”
  
  三星还透露,基于12层3DTSV技术的HBM存储芯片将很快量产,单片容量从目前的8GB来到24GB。
  
  “最新的封装技术在AI、自动驾驶和HPC(高性能计算)等领域变得越来越重要,”三星电子DS部门副总裁BaekHong-joo说道。“我们将通过12层3D-TSV技术在半导体封装领域保持领先地位。”
 
来源:芯科技        
 
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