长鑫存储公布新路线图:已开始生产19nm计算机存储器[CSIA]
 
 
长鑫存储公布新路线图:已开始生产19nm计算机存储器
更新时间:2019/12/4 17:32:42  
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长鑫存储技术有限公司(CXMT)已经开始生产基于19nm工艺的计算机存储器,且该公司至少制定了两条以上的10nm级制程的路线图,计划在未来生产各种类型的动态随机存储器(DRAM)。为了提升产量,长鑫存储还计划建造另外两座晶圆厂。作为中国制造2025项目的一部分,其有望支撑全球一半左右的DRAM需求。
  
  目前长鑫存储的月产能约为2万片晶圆,但随着该公司订单量的增长,产量也将逐渐提升。预计到2020年底,其10nm级工艺技术的产能为12万片晶圆(12英寸),媲美SK海力士在中国无锡的工厂。
  
  CXMT正在使用其10G1技术(19nm工艺)来制造4Gb和8GbDDR4存储器芯片,目标在2020年第一季度将其商业化并投放市场,该技术将用于在2020下半年制造的LPDDR4X存储器。
  
  从路线图来看,CXMT还规划了针对DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及LPDDR5的10G3(17nm工艺)产品。尽管目前尚无法撼动业内老牌竞争对手,但该公司相当重视创新工艺的研发和产能的扩张。
  
  预计CXMT10G5工艺将使用HKMG和气隙位线技术,并在远期使用柱状电容器、全能栅极晶体管、以及极紫外光刻(EUVL)工艺。
  
  尽管该公司计划于2019年初开始生产DDR4内存,但新路线图已经推迟了一年。最后,该公司还计划再建两座DRAM晶圆厂。
 
来源:cnBeta        
 
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