南亚科10nm DRAM技术突破[CSIA]
 
 
南亚科10nm DRAM技术突破
更新时间:2020/1/14 13:31:23  
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据台媒报道,南亚科总经理李培瑛于10日宣布,已完成自主研发10纳米级DRAM技术,将在今年下半年试产!
  
  全球DRAM内存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中,他们的份额高达95%以上,关键原因就在于这三家的技术专利形成了极高的门槛,其他公司突围起来很难。
  
  南亚科之前的内存也是来自美光授权,今年他们将转向自研的10nm级内存,未来将自产DDR4/LPDDR4/DDR5等内存颗粒。
  
  在美光前两年全资收购华亚科之后,南亚科技变成了全球第四大内存厂,不过份额只有2%左右,而且技术来源也主要是美光授权,而且技术落后较多,在三星、美光、SK海力士转向1X、1Y、1Znm工艺之后,南亚的主力还是30nm等,来自美光授权,这两年才搞定20nm内存,也是授权+合作研发的模式,南亚上次自己搞内存研发还是99nm时代。
  
  在10nm级内存芯片中,南亚决定自研了,目前10nm级前导产品预计会在今年下半年试产,主要包括8Gb核心的DDR4、LPDDR4及未来的DDR5,都可以由自研的技术平台生产。
  
  在解决10nm级内存工艺技术之后,南亚还会继续研发第二代10nm级工艺,预计2022年量产,还会开发第三代10nm级工艺。
 
来源:中国半导体论坛        
 
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