突破!铠侠开发出170层NAND闪存产品[CSIA]
 
 
突破!铠侠开发出170层NAND闪存产品
更新时间:2021/2/22 13:11:00  
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日本芯片制造商铠侠开发了大约170层的NAND闪存,并与美光和SK海力士共同获得了这项尖端技术。
  
  日经亚洲评论报道称,这种新型NAND存储器是与美国合作伙伴西部数据(WesternDigital)联合开发的,其写入数据的速度是铠侠目前顶级产品(112层)的两倍以上。
  
  另外,铠侠还成功地在新型NAND每层上安装了更多的存储单元,这意味着与相同容量的存储器相比,它可以使芯片缩小30%以上。更小的芯片将使智能手机、服务器和其他产品的构造具有更大的灵活性。
  
  据悉,铠侠计划在正在进行的国际固态电路大会上推出其新款NAND,并预计最早在明年开始量产。
  
  随着5G技术的兴起,数据传输规模更大、速度更快,铠侠希望挖掘与数据中心、智能手机相关的需求。但该领域的竞争已经在加剧,美光和SK海力士已先于铠侠宣布了176层NAND。
  
  为了提高闪存的产量,铠侠和西部数据计划今年春季在日本四日市建设一个1万亿日元(合94.5亿美元)的工厂,他们的目标是在2022年开通第一批生产线。此外,铠侠在日本Kitakami工厂旁边也收购了很多工厂,以便未来能够根据需要扩大产能。
 
来源:日经亚洲评论        
 
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